超臨界二氧化碳電鍍裝置，用行超臨界二氧化碳電鍍鈷薄膜制備及力學和磁學性能研究，電鍍是通過電解質中金屬離子的電化學反應，在基材上形成金屬涂層的薄膜生長工藝之一，也叫電沉積。電鍍過程主要包括將待鍍物（陰極）浸入含有電解質和輔助電極（陽極）的容器中，然后將兩個電極連接到外部電源以使電流流動。待鍍物與電源負極相連，使金屬離子還原為金屬原子，最終在表面形成沉積物。可控制電鍍參數，如電解質的成分、電流密度、浴溫、pH 值等以獲得所需的鍍層性能。

超臨界二氧化碳電鍍裝置，如今，電鍍已在從冶金和重工程工業到微電子和納米技術的各種技術領域中經常用于實際科研生產中。電鍍通常以兩種控制模式進行：恒電位法和恒電流法。對恒電位法，除了陽極（工作電極）和陰極（對電極）外，還需要參比電極來控制金屬離子的還原電位。使用此方法可精確控制陰極和參比電極之間的電位差；而在電鍍過程中，電解質的形態變化或成分變化，電流密度可能會發生變化，導致難以估計電鍍層厚度和電流密度效率。對恒電流方法，在電鍍過程中使用固定的電流密度，并且可通過簡單的電源產生。此方法只需要陽極和陰極，它在工業上被廣泛使用，特別是用于大型物體的電鍍。

超臨界二氧化碳電鍍裝置，鈷及鈷合金因其優越磁性，大量應用于高性能磁性材料，在電子信息領域起著非常重要的作用，隨著電子設備小型化、輕量化，鈷薄膜磁制動器等可用于微電機系統。以鈷薄膜為主要研究對象，采用超臨界（15MPa，40℃）二氧化碳電鍍，對比亞臨界（15MPa，30℃）、高壓（15MPa，25℃）二氧化碳和常規電鍍，制備了 FCC 和 HCP 雙相電鍍鈷薄膜，為獲得無缺陷、表面質量良好，優異力學和磁性的鈷薄膜，研究了鈷薄膜晶體結構、晶粒尺寸與微壓縮力學性能、磁性的關系。主要通過 XRD、SEM、TEM、AFM、VSM 和 MFM 測試等表征手段對材料的物相，結構，形貌，磁性，結合微壓縮和分子動力學模擬微壓縮、納米壓痕、維氏硬度等試驗，對力學性能、磁性進行分析。

超臨界二氧化碳電鍍裝置，水電解質電鍍鈷薄膜：含水電解質中，酸性條件下 298K 時，Co2+/Co 電極電勢為-0.28 V，不需絡合物形成絡合離子即可在水溶液中電鍍鈷薄膜。電鍍鈷薄膜一般從從含有氯化物、硫酸鹽等水溶液的不同電解槽中電鍍獲得[25]，反應式如下：Co2+ + 2e? → Co ↓ (s) ； 水電解質中，水可電離為氫氧根和氫離子，同時也會發生副反應，如下：2H+ + 2e? → H2 ↑ (g) 。

超臨界二氧化電鍍前處理銅片用 10 wt%的脫脂溶液和 10 wt%的 HCl 溶液電鍍過程之前分別處理 70 秒和 10 秒，每道工序處理后使用純水浸泡清洗后，安裝于高壓釜蓋上，電解質組成為 350 g/L CoSO4·7H2O、45 g/L CoCl2·6H2O 和 40 g/L H3BO3，電解質 pH 值為 3.5，無表面活性劑。將 40 mL 電解質、陰陽極放入高壓釜中，關閉高壓釜，加熱高壓釜中電解質溫度至為 40℃，壓力容器注入 CO2，利用背壓閥調節壓力至 15MPa，體積分數為 20% CO2，接通導線，開啟直流穩壓電源進行電鍍。使用 5、10、12 和 15 A/dm2 (ASD) 的不同電流密度電鍍。